Che cos'è la latenza CAS? Le latenze DDR5 spiegate

Quando si acquistano le DRAM, si trovano informazioni sui loro tempi, come 34-42-42-96 o 40-40-40-77. Questi numeri rappresentano la latenza del kit DRAM e sono memorizzati sul chip delle chiavette di memoria chiamato SPD (Serial Presence Detect). Questi numeri rappresentano la latenza del kit DRAM e queste impostazioni sono memorizzate in un chip sulle chiavette di memoria chiamato SPD (Serial Presence Detect), quindi è possibile vedere queste lettere allo stesso tempo. Il primo numero è spesso l'unico menzionato come "C" o "CL" o "CAS", ma cosa significa realmente latenza CAS? E quali implicazioni ha la latenza CAS di un kit DRAM sulle sue prestazioni?

La latenza CAS (Column Address Strobe o Signal) di un modulo DRAM è il numero di "cicli di clock" necessari al modulo per accedere a una serie specifica di dati in una delle sue colonne e renderli disponibili all'uscita.

Da un punto di vista più semplice, si tratta del numero di cicli di clock necessari alla DRAM per produrre i dati richiesti dalla CPU. Un kit DRAM con una latenza CAS di 34, ad esempio, impiega 34 cicli di clock della RAM per completare questo compito. Più bassa è la latenza CAS, più veloce sarà l'operazione a parità di frequenza della DRAM.

Mentre la frequenza di una DRAM indica il numero di mega trasferimenti (1.000.000 di trasferimenti di dati) che può effettuare in un secondo (un modulo RAM DDR5-7200 può effettuare 7.200 mega trasferimenti in un secondo, come riferimento).

Come spiegato in precedenza, la latenza CAS indica il numero totale di cicli necessari alla RAM per inviare i dati, ma è necessario considerare la durata di ciascun ciclo per avere un'idea più precisa della latenza complessiva della DRAM.

Sebbene la RAM DDR5 sia più recente e offra una migliore densità di memorizzazione ed efficienza energetica rispetto alla DDR4, tende ad avere una latenza CAS più elevata. Le DDR4 hanno di solito una latenza CAS di 16, mentre le DDR5 hanno una latenza CAS di almeno 32. Tuttavia, grazie alle velocità di clock più elevate, il nuovo standard ha prestazioni complessivamente migliori. Tuttavia, grazie alle velocità di clock più elevate, lo standard più recente offre prestazioni complessivamente migliori.

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Le operazioni indicate da questi numeri sono le seguenti: CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD. Per comprenderle, occorre tenere presente che la memoria è organizzata internamente come una matrice. È qui che i dati sono memorizzati all'intersezione delle righe e delle colonne.

• CL: Latenza CAS. Il numero di cicli che intercorrono tra la richiesta di dati da parte del processore alla memoria e la loro restituzione.
• tRCD: Ritardo da RAS a CAS. Il numero di cicli che intercorrono tra l'attivazione della linea (RAS) e la colonna (CAS) in cui vengono memorizzati i dati nella matrice.
• tRP: precarica RAS. Il numero di cicli che intercorrono tra la disabilitazione dell'accesso a una riga di dati e l'inizio dell'accesso a un'altra riga di dati.
• tRAS: Ritardo da attivo a precarico. Per quanto tempo la memoria deve attendere prima di poter avviare la successiva richiesta di accesso alla memoria.
• CMD: Velocità di comando. Il tempo che intercorre tra l'attivazione del chip di memoria e l'invio del primo comando alla memoria. A volte questo valore non viene comunicato. Di solito è T1 (1 ciclo di clock) o T2 (2 cicli di clock).

Se cercate la memoria più performante, dovete trovarne una ad alta frequenza e a basso CAS e timings.

Ogni generazione di CPU ha un proprio punto di sudorazione per la frequenza di memoria; da quel punto, la ricerca del kit con il CAS più basso vi permetterà di trovare la memoria migliore per la specifica CPU in questione.

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