Was ist die CAS-Latenzzeit? DDR5-Latenzen erklärt

Wenn Sie DRAM kaufen, werden Sie Informationen zu den Timings sehen, wie 34-42-42-96 oder 40-40-40-77. Diese Zahlen stehen für die Latenzzeit des DRAM-Kits, und diese Einstellungen sind auf einem Chip auf den Speichersticks gespeichert, der SPD (Serial Presence Detect) genannt wird, so dass Sie diese Buchstaben möglicherweise gleichzeitig sehen. Oft wird nur die erste Zahl als "C" oder "CL" oder "CAS" bezeichnet, aber was bedeutet die CAS-Latenzzeit wirklich? Und welche Auswirkungen hat die CAS-Latenzzeit eines DRAM-Kits auf seine Leistung?

Die CAS-Latenz (Column Address Strobe oder Signal) eines DRAM-Moduls gibt an, wie viele Taktzyklen das Modul benötigt, um auf einen bestimmten Datensatz in einer seiner Spalten zuzugreifen und ihn für den Ausgang verfügbar zu machen.

Einfacher ausgedrückt geht es darum, wie viele Taktzyklen der DRAM benötigt, um die von der CPU angeforderten Daten auszugeben. Ein DRAM-Kit mit einer CAS-Latenz von 34 benötigt beispielsweise 34 RAM-Taktzyklen, um diese Aufgabe zu erledigen. Je niedriger die CAS-Latenz ist, desto schneller wird die Aufgabe bei gleicher DRAM-Frequenz erledigt.

Die Frequenz eines DRAMs gibt an, wie viele Megatransfers (1.000.000 Datenübertragungen) er in einer Sekunde durchführen kann (ein DDR5-7200-RAM-Modul kann 7.200 Megatransfers in einer Sekunde durchführen).

Wie bereits erläutert, gibt die CAS-Latenz die Gesamtzahl der Zyklen an, die der Arbeitsspeicher benötigt, um Daten zu senden. Sie sollten jedoch die Dauer der einzelnen Zyklen berücksichtigen, um eine bessere Vorstellung von der Gesamtlatenz des DRAMs zu erhalten.

DDR5-RAM ist zwar neuer und verfügt über eine höhere Speicherdichte und Energieeffizienz als DDR4, hat aber in der Regel eine höhere CAS-Latenz. DDR4 hat normalerweise eine CAS-Latenz von 16, während DDR5 eine CAS-Latenz von mindestens 32 hat. Aufgrund der höheren Taktraten bietet der neuere Standard jedoch insgesamt eine bessere Leistung.

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Die Vorgänge, die diese Nummern anzeigen, sind die folgenden CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD. Um sie zu verstehen, muss man sich vor Augen halten, dass der Speicher intern als Matrix organisiert ist. Hier werden die Daten an den Schnittpunkten der Zeilen und Spalten gespeichert.

• CL: CAS-Latenzzeit. Die Anzahl der Zyklen, die zwischen der Anforderung von Daten aus dem Speicher durch den Prozessor und der Rückgabe der Daten vergehen.
• tRCD: RAS-CAS-Verzögerung. Die Anzahl der Zyklen, die zwischen der Aktivierung der Zeile (RAS) und der Spalte (CAS), in der die Daten in der Matrix gespeichert werden, vergehen.
• tRP: RAS-Vorladung. Die Anzahl der Zyklen, die zwischen der Deaktivierung des Zugriffs auf eine Datenzeile und dem Beginn des Zugriffs auf eine andere Datenzeile vergehen.
• tRAS: Aktiv bis Vorladeverzögerung. Wie lange der Speicher warten muss, bis die nächste Speicherzugriffsanforderung ausgelöst werden kann.
• CMD: Befehlsrate. Die Zeit, die zwischen der Aktivierung des Speicherchips und der Übermittlung des ersten Befehls an den Speicher vergeht. Manchmal wird dieser Wert nicht bekannt gegeben. Er beträgt normalerweise T1 (1 Taktzyklus) oder T2 (2 Taktzyklen).

Wenn Sie auf der Suche nach dem leistungsstärksten Speicher sind, müssen Sie einen mit hoher Frequenz und niedrigen CAS- und Timing-Werten finden .

Jede CPU-Generation hat ihren eigenen Schwitzpunkt für die Speicherfrequenz. Von diesem Punkt aus können Sie durch die Suche nach dem Kit mit dem niedrigeren CAS-Wert den besten Speicher für die betreffende CPU finden.

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