O que é a latência CAS? Latências DDR5 explicadas

Ao comprar DRAM, verá informações sobre os seus tempos, como 34-42-42-96 ou 40-40-40-77. Estes números representam a latência do kit DRAM e estas definições são armazenadas num chip nos cartões de memória chamado SPD (Serial Presence Detect), pelo que poderá ver estas letras ao mesmo tempo. O primeiro número é frequentemente o único mencionado como "C" ou "CL" ou "CAS", mas o que significa realmente a latência CAS? E que implicações é que a latência CAS de um kit DRAM tem no seu desempenho?

A latência CAS (Column Address Strobe ou Signal) de um módulo DRAM é o número de "ciclos de relógio" que o módulo demora a aceder a um conjunto específico de dados numa das suas colunas para o tornar disponível para a saída.

Numa abordagem mais simples, é o número de ciclos de relógio que a DRAM demora a produzir os dados solicitados pela CPU. Um kit DRAM com uma latência CAS de 34, por exemplo, demora 34 ciclos de relógio da RAM para concluir esta tarefa. Quanto menor for a latência CAS, mais rápido será feito para a mesma frequência DRAM.

Enquanto a frequência de uma DRAM indica quantas mega transferências (1.000.000 transferências de dados) pode efetuar num segundo (um módulo de RAM DDR5-7200 pode efetuar 7.200 mega transferências num segundo, para referência).

Como explicado anteriormente, a latência CAS indica o número total de ciclos que a RAM demora a enviar dados, mas deve considerar a duração de cada ciclo para ter uma melhor ideia da latência global da DRAM.

Embora a RAM DDR5 seja mais recente, com melhor densidade de armazenamento e eficiência energética do que a DDR4, ela tende a ter uma latência CAS mais alta. A DDR4 normalmente tem uma latência CAS de 16, enquanto a DDR5 terá uma latência CAS de pelo menos 32. No entanto, devido às suas velocidades de relógio mais rápidas, a norma mais recente tem um melhor desempenho geral.

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As operações que estes números indicam são as seguintes: CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD. Para as compreender, tenha em conta que a memória está organizada internamente como uma matriz. É aqui que os dados são armazenados na intersecção das linhas e colunas.

• CL: Latência CAS. O número de ciclos que decorre entre o pedido de dados do processador à memória e a sua devolução.
• tRCD: Atraso de RAS para CAS. O número de ciclos que decorre entre a ativação da linha (RAS) e a coluna (CAS) onde os dados são armazenados na matriz.
• tRP: Pré-carga RAS. O número de ciclos que decorre entre a desativação do acesso a uma linha de dados e o início do acesso a outra linha de dados.
• tRAS: Atraso de ativo para pré-carga. Durante quanto tempo a memória deve esperar até que o próximo pedido de acesso à memória possa ser iniciado.
• CMD: Taxa de comando. Tempo que decorre entre a ativação do chip de memória e o momento em que o primeiro comando pode ser enviado para a memória. Por vezes, este valor não é anunciado. Normalmente é T1 (1 ciclo de relógio) ou T2 (2 ciclos de relógio).

Se procura a memória com melhor desempenho, precisa de encontrar uma com frequência elevada e CAS e temporizações baixos.

Cada geração de CPU tem o seu próprio ponto de suor para a frequência da memória, a partir desse ponto, procurar o kit com o CAS mais baixo permitir-lhe-á encontrar a melhor memória para o CPU específico em questão.

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