CAS 레이턴시란 무엇인가요? DDR5 지연 시간 설명

DRAM을 구매할 때 34-42-42-96 또는 40-40-40-77과 같은 타이밍에 대한 정보를 볼 수 있습니다. 이러한 숫자는 DRAM 키트의 지연 시간을 나타내며, 이러한 설정은 메모리 스틱의 SPD(직렬 존재 감지)라는 칩에 저장되므로 이러한 문자가 동시에 표시될 수 있습니다. 첫 번째 숫자만 "C" 또는 "CL" 또는 "CAS"로 언급되는 경우가 많은데, CAS 지연 시간은 실제로 무엇을 의미할까요? 그리고 DRAM 키트의 CAS 지연 시간은 성능에 어떤 영향을 미칠까요?

DRAM 모듈의 CAS(컬럼 주소 스트로브 또는 신호) 지연 시간은 모듈이 컬럼 중 하나의 특정 데이터 세트에 액세스하여 출력에 사용할 수 있도록 하는 데 걸리는 '클록 주기'입니다.

더 쉽게 접근하면 DRAM이 CPU에서 요청한 데이터를 출력하는 데 걸리는 클럭 사이클 수입니다. 예를 들어 CAS 지연 시간이 34인 DRAM 키트는 이 작업을 완료하는 데 34번의 RAM 클록 사이클이 소요됩니다. CAS 지연 시간이 낮을수록 동일한 DRAM 주파수에 대해 더 빨리 완료됩니다.

DRAM의 주파수는 1초에 얼마나 많은 메가 전송(1,000,000건의 데이터 전송)을 수행할 수 있는지 알려줍니다(참고로 DDR5-7200 RAM 모듈은 1초에 7,200건의 메가 전송을 수행할 수 있습니다).

앞서 설명한 것처럼 CAS 지연 시간은 RAM이 데이터를 전송하는 데 걸리는 총 사이클 수를 알려주지만, 각 사이클의 지속 시간을 고려해야 해당 DRAM의 전체 지연 시간을 더 잘 파악할 수 있습니다.

DDR5 RAM은 DDR4보다 저장 밀도와 전력 효율성이 더 뛰어난 최신 제품이지만, CAS 지연 시간이 더 길어지는 경향이 있습니다. DDR4는 일반적으로 16의 CAS 지연 시간을 가지며, DDR5는 최소 32의 CAS 지연 시간을 갖습니다. 하지만 클럭 속도가 더 빠르기 때문에 최신 표준이 전반적으로 더 나은 성능을 제공합니다.

다행히도 커세어는 기본적으로 원하는 모든 크기와 속도의 DDR4 및 DDR5 RAM을 생산하고 있습니다. 메모리 찾기를 통해 몇 가지 팁이 필요한 경우 올바른 방향을 찾을 수 있습니다.

이 숫자가 나타내는 작업은 다음과 같습니다: CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD. 이를 이해하려면 메모리가 내부적으로 매트릭스로 구성되어 있다는 점을 염두에 두세요. 행과 열의 교차점에 데이터가 저장되는 곳입니다.

• CL: CAS 지연 시간. 프로세서가 메모리에서 데이터를 요청하고 반환하는 데 걸리는 주기 수입니다.
• tRCD: RAS에서 CAS로의 지연. 행렬에 데이터가 저장되는 라인(RAS)과 열(CAS)의 활성화 사이에 걸리는 주기 수입니다.
• tRP: RAS 사전 충전. 한 데이터 회선에 대한 액세스를 비활성화한 후 다른 데이터 회선에 대한 액세스가 시작될 때까지 걸리는 주기 수입니다.
• tRAS: 활성화에서 사전 충전 지연. 다음 메모리 액세스 요청이 시작될 때까지 메모리가 대기해야 하는 시간입니다.
• CMD: 명령 속도. 메모리 칩이 활성화된 후 첫 번째 명령이 메모리로 전송될 때까지 걸리는 시간입니다. 때때로 이 값은 발표되지 않습니다. 일반적으로 T1(1 클록 주기) 또는 T2(2 클록 주기)입니다.

최고 성능의 메모리를 찾고 있다면 높은 주파수와 낮은 CAS 및 타이밍을 가진 메모리를 찾아야 합니다.

각 CPU 세대마다 메모리 주파수에 대한 고유한 스웻 스팟이 있으며, 그 스팟에서 CAS가 낮은 키트를 찾으면 해당 특정 CPU에 가장 적합한 메모리를 찾을 수 있습니다.

모든 성능을 최대한 활용하고 싶은 분이라면 가장 높은 주파수 키트부터 가장 작은 CAS까지 선택할 수 있습니다. 웹스토어에서 다양한 타이밍과 레이턴시를 지원하는 다양한 DDR4 및 DDR5를 만나보세요.